8吋SiC新成果:14億訂單、SiCMOS交付、液相法……
(資料圖片)
8吋碳化硅正在提速,前段時間,國內新增了3個8吋SiC玩家(.點這里.),最近,又有4家廠商邁進一大步,實現相關技術的領跑:
據“行家說三代半”此前報道,瀚天天成在前段時間,率先實現了8英寸碳化硅外延工藝的技術突破,擁有了國產8英寸SiC外延片的量產能力(.點這里.)。
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天岳先進CTO高超博士介紹公司最近技術進展
高超博士介紹8英寸液相法進展
在技術及研發方面,一直以來,天岳先進持續保持較高的技術研發投入,積極布局前瞻性技術。作為一種有潛力的碳化硅單晶制備新技術,液相法備受關注。通過液相法獲得均勻且高品質的晶體需要對溫場和流場進行控制,具有較高的技術難度,天岳先進在該技術上布局多年。近日,他們采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,通過熱場、溶液設計和工藝創新突破了碳化硅單晶高質量生長界面控制和缺陷控制難題,尚屬業內首創。
除了產品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用他們最新技術制備的晶體厚度已突破60mm,而這對提升產能具有重要意義,該技術也是天岳先進重點布局的技術方向之一。
天岳先進將繼續在產品尺寸、晶體厚度、襯底品質等多維度持續加大研發和技術提升,始終保持領先,引領行業發展。
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